МЕТРОЛОГИЯ НАНОСТРУКТУР ПО МЕТОДУ РЕФЛЕКТОМЕТРИИ
(совместный результат с компанией Abeam Technologies, США)

Созданы методы и программное обеспечения (ПО) для измерения и контроля параметров периодических микро- и наноструктур по методу рефлектометрии. Методы включают решение прямых и обратных задач дифракции на периодических структурах в рамках электромагнитной теории. Обратные задачи состоят в оценке геометрических параметров профиля структуры по измерениям отраженного от структуры поля. Разработанные методы обеспечивают точность определения параметров 1 нм и выше. ПО прошло экспериментальную проверку на реальных измерениях.

Измеренные и рассчитанные спектры параметров a, b для кремниевой решетки с периодом 140 нм (коэффициент корреляции спектров >0,996). Оцененные параметры: высота 321,6 нм, ширина = 98,2 нм, угол наклона стенок 2,9 градусов.

Измеренные и рассчитанные спектры параметров a и b пленки диоксида кремния (толщина 5,5 нм) на кремниевой подложке (коэффициент корреляции спектров >0,999).


Практические применения: контроль параметров интегральных схем в микроэлектронике.

Библиография: